Преподаватели ИРЭФ-ЦТ встретились с коллегами из НИУ МИЭТ и сотрудниками Зеленоградского нанотехнологического центра.
Представители кафедр конструирования и технологии производства электронных средств; нанотехнологий в электронике в рамках рабочей встречи обсудили вопросы взаимодействия КНИТУ-КАИ и Национальный исследовательский университет «МИЭТ» в рамках развития сети дизайн-центров микроэлектроники в России. Также сотрудники Института радиоэлектроники, фотоники и цифровых технологий ознакомились с технологическими возможностями по производству микроэлектроники и микросистемной техники Зеленоградского нанотехнологического центра (АО «ЗНТЦ»), входящим в инновационный комплекс МИЭТ.
В соответствии со Стратегией развития электронной промышленности России на период до 2030 года, создание и развитие сети дизайн-центров и центров коллективного проектирования является важным элементом развития электронной промышленности. Дизайн-центры запланированы к формированию на базе высокотехнологичных и профильных образовательных организаций. Так, в 2020 году был создан Центр сквозного проектирования «Дизайн-Центр КНИТУ-КАИ» для осуществления научных исследований и проектных работ в области микро- и наноэлектроники, фотоники, квантовых технологий.
В рамках совещания в Национальном исследовательском университете МИЭТ было принято решение о подписании соглашения о вступлении КНИТУ-КАИ в Ассоциацию вузов по электронной компонентной базе (ЭКБ), головным центром которой является МИЭТ. Кроме того, в рамках сотрудничества московский вуз продолжит предоставлять доступ удаленного пользования преподавателям и студентам КНИТУ-КАИ для работы с учебными лицензиями САПР по проектированию электроники и микроэлектроники. Сотрудники МИЭТ поделились информацией о проводимых в вузе курсах повышения квалификации по проектированию и технологиям микро- и наноэлектроники.
В ходе ознакомления с технологической базой МИЭТ для гостей из Казани руководитель кристального производства АО «ЗНТЦ» Галина Ширкова провела экскурсию по предприятию с подробным описанием всего цикла производства микросхем. Центр оснащен современным оборудованием, позволяющим производить интегральную технику на пластинах 150 мм и 200 мм по технологическим нормам от 1 мкм до 300 нм. В текущий момент разворачивается новый технологический участок для производства силовых и СВЧ микросхем по технологии GaN на Si.
Для справки: АО «ЗНТЦ» динамично развивающееся инновационное предприятие, которое обеспечивает полный цикл разработки и производства аналоговых и цифровых микросхем, датчиков физических величин и фотонных интегральных схем, в том числе: производство изделий микроэлектроники и микросистемной техники; корпусирование кристаллов микросхем и 3D сборка и прочее.
